金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,杭州老板电器股份有限公司取得一项名为“一种带有感温探头的堆叠式燃烧器“授权公告号CN110953584B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示,本发明公开了一种带有感温探头的堆叠式燃烧器,包括炉头和感温探头,炉头上沿径向从后面会介绍。
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金融界2024年5月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“堆叠式图像传感器“公开号CN117954460A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,公开了堆叠式图像传感器。所述堆叠式图像传感器包括:第一半导体基底,包括光电转换区域和浮置扩散区域;第一绝缘还有呢?
jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 2 ri xiao xi , ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao , san xing dian zi zhu shi hui she shen qing yi xiang ming wei “ dui die shi tu xiang chuan gan qi “ gong kai hao C N 1 1 7 9 5 4 4 6 0 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 1 0 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi , gong kai le dui die shi tu xiang chuan gan qi 。 suo shu dui die shi tu xiang chuan gan qi bao kuo : di yi ban dao ti ji di , bao kuo guang dian zhuan huan qu yu he fu zhi kuo san qu yu ; di yi jue yuan hai you ne ?
三星电子4月30日表示,目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品,计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。本文源自金融界AI电报
金融界2024年4月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“层叠封装半导体封装件、堆叠半导体封装件及电子系统“授权公告号CN109755235B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示,提供了一种层叠封装(PoP)半导体封装件、一种堆叠半导体封装件和一种后面会介绍。
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金融界2024年4月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“用于堆叠式场效应晶体管的具有中心线电源轨的单元架构“公开号CN117936542A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括:在第一是什么。
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金融界2024年4月27日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“堆叠半导体装置、系统及在半导体装置中传输信号的方法“授权公告号CN109585400B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示,提供了一种堆叠半导体装置、系统及在半导体装置中传输信号的方法。..
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SK海力士表示,12层堆叠(12Hi)HBM3E内存开发有望三季度完成,而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8Hi HBM3E内存,SK海力士将为明年客户对12Hi HBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估,如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽,内存市场等会说。
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金融界2024年4月25日消息,据国家知识产权局公告,福建火炬电子科技股份有限公司取得一项名为“一种电容芯片堆叠治具“的专利,授权公告号CN220829887U,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,这种电容芯片堆叠治具,包括基座、安装座、多个堆叠座和定位调节机构安装座,设置在说完了。
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公开号CN117917950A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,一种电容器结构包括:下电极结构,具有位于基板上的下电极和包括电极图案的电极结构,该电极图案沿与基板的上表面实质上垂直的竖直方向堆叠在下电极上;介电图案,接触下电极结构;以及上电极,接触介电图案。本文源自金等会说。
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金融界2024年4月17日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件“公开号CN117894754A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括:在半导体衬底等会说。
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