摘要：线电接收机、振盪器等；而连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。 电子元件也许是单独的封装，称为离散元件（电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等）；或是將多重电子元件与电路以集中且小型化的方式，制造在半导体晶圆表面上，形成各种不同复杂度的群组，称为积体电路（运算放大器、排阻、逻辑闸等）。。...⊙▂⊙
线电接收机、振盪器等；而连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。 电子元件也许是单独的封装，称为离散元件（电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等）；或是將多重电子元件与电路以集中且小型化的方式，制造在半导体晶圆表面上，形成各种不同复杂度的群组，称为积体电路（运算放大器、排阻、逻辑闸等）。。
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对位置传感器（位移传感器）。根据测量变量的性质来分类，位置传感器可分为线性的、角度的和多轴的。 现有的位置传感器有： 电容式换能器（Capacitive transducer） 电容式位移传感器（英语：Capacitive displacement sensor） 涡流传感器（英语：Eddy-current。
dui wei zhi chuan gan qi （ wei yi chuan gan qi ） 。 gen ju ce liang bian liang de xing zhi lai fen lei ， wei zhi chuan gan qi ke fen wei xian xing de 、 jiao du de he duo zhou de 。 xian you de wei zhi chuan gan qi you ： dian rong shi huan neng qi （ C a p a c i t i v e t r a n s d u c e r ） dian rong shi wei yi chuan gan qi （ ying yu ： C a p a c i t i v e d i s p l a c e m e n t s e n s o r ） wo liu chuan gan qi （ ying yu ： E d d y - c u r r e n t 。
电时达到饱和，使输出波形的低电平时间远大于上面计算的结果。 为获得占空比小于50%的矩形波，可以通过给R2并联一个二极管实现。这一二极管在充电时导通，短路R2，使得电源仅通过R1为电容充电；而在放电时截止以达到减小充电时间降低占空比的效果。 以下为NE555的电气参数，其他不同规格的555定时器可能会有不同的参数，请查阅数据手册。。
signal strength indication）。 最简单的包络检波器的形式是上面说过的二极管检测器。二极管检测器就是一个输入和输出之间的二极管，接在从输出到地的并联的电阻和电容器之上。如果电阻和电容选择得正确，该电路的输出应该是原始（基带）信号电压经过偏移的版本。于是一个简单滤波器可以用于滤出直流分量。。
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雪崩光电二极管(APD)(又称累崩光电二极体或崩溃光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500。
当二极管反向偏置时，其耗尽层厚度会随二极管两端施加的直流电压而变化。所有二极管（包括晶体管中的PN结）都有这一性质，但专门作为可变电容的二极管（即变容二极管）出售的器件有特殊的设计（例如具有更大的结面积和特殊的掺杂）使其具有更大的电容。 数字调谐电容器（Digitally。
箝位电压：导通电流会到其额定电流（数百到数千安培）的电压。 杂散电容：未导通的二极体其特性类似电容器，对於高频信号有破坏性的效果，一般会建议选用杂散电容较低的TVS二极管。 杂散电感：因为实际过电压的切换很快，包装的电感是反应速度的限制因素之一。 可吸收的能量：因为暂態很短，所有的能量都变成TVS二极管。
二极管可称为ν型PIN二极管。在PIN型二极管中，P层和N层通常由高掺杂的半导体材料组成。由于I层的存在，PIN型二极管通常比普通的二极管拥有更宽的耗尽层，更大的接面电阻和更小的接面电容。在射频与微波级别的电路中，PIN型二极管经常被用作微波开关（英语：RF switch）、移相器（英语：Phase。
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二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管。
一个由标准部件（电阻，电容，电感）制作的自激电路（英语：Autonomous circuit），若要表现出混沌行为，必须满足三个标准。它必须包含有： 一个或者多个的非线性元件 一个或者多个的本地有源电阻 三个或者更多个能量存储元件 蔡氏电路是满足这些标准的最简单的电子线路。如图所示，能量存储元件是两个电容。
基于物理特性和电学参数的仿真来仿真复杂电路的行为。其可仿真包含由下列元件组成的电路和子电路，包括电阻、电容、电感器、互感器、独立电压、电流源、依赖电源、传输线、开关，以及5种最常见的半导体器件：二极管、结型场效应管、双极性晶体管、金属氧化物半导体场效电晶体和金属半导体场效应管。。
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二极管。但该系列二极管的开关速度极低，工作频率超过15 kHz（方波）时性能就会无法令人接受，而一些数据手册中甚至根本没有导通时间和关断时间的任何信息，不适合用在开关类电路。作为一种功率二极管，其较高的反向漏电流和结电容也不适合小信号应用。。
温(热发射)、或者电场(场发射)，以及使用电子隧穿效应。 所有相对测量方法利用了样品与参照电极的接触势差。实验上，是使用二极管的阴极电流或者样品与参照物的间由人工改变的两者间电容导致的位移电流等方法(开尔文探测、开尔文探测力显微镜)来测量的。 光电发射光谱学(PES)是基于外光电效应的光谱学技术术。
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电路图中的施密特触发器符号是一个三角中画有一个反相或非反相滞回符号。这一符号描绘了对应的理想滞回曲线。 施密特触发器可以利用简单的隧道二极管实现，这种二极管的伏安特性在第一象限中是一条“N”形曲线。振荡输入会使二极管的伏安特性从“N”形曲线的上升分支移动到另一分支，然后在输入值超越上升和下降翻转阈值时回到起点。不过，这类施。
network）也称电气网络，也可简称电网 ，是类似的术语，指的是电子元件按一定方式互连或这种互连的模型，为电荷流通提供了路径的总体。例如：电源、电阻、电容、电感、二极管、电晶体、集成电路和电键等构成的网络，负电荷可以在其中运动。电路的规模可以相差很大，小到硅片上的集成电路，大到高低压输电网。。
变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环。
光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。 常见的传统太阳能电池就是通过大面积的光电二极管来产生电能。 光电二极管与常规的半导体二极管基本相似，只是光电二极管可以直接暴露在光源附近或通过透明小窗、光导纤维封装，来允许光到达这种器件的光敏感。
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极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有闸极（也称栅极，来自英语Gate，因此也成为G极）。这个极被用来控制结型场效应管，它与n通道组成一个pn二极管，因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似，只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结，而是使用肖特基结（金属与半导体之间的结。
限幅器（英语：Clipper）是一种设计用于防止电路输出超过预定电压，而不会使所施加波形的剩余部分失真的电子装置。 限幅器由线性元件（如电阻器）和非线性元件（如二极管或晶体管）组成，但它不包含电容等储能元件。限幅器的目的是限制信号的极大值，即信号波形的一部分位于某个参考电压电平之上或之下。因此，限幅器可以去除信号中太大的正电压。
{\displaystyle C_{d}} 。 由于pn接面的单向导电性，可以利用它作为基础制造半导体二极管、三极管等电子元件，例如常用的稳压二极管、光电二极管、发光二极管（LED）等。 电子学主题 半导体 异质接面 二极管 Hook, J. R.; H. E. Hall. Solid State Physics。
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