发光二极管如何判断好坏,发光二极管如何判断正负极

摘要：金融界2024年3月8日消息，据国家知识产权局公告，杭州海康威视数字技术股份有限公司申请一项名为“一种发光二极管的制备方法“公开号CN117672965A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管的制备方法。所述制备方法包括：提供发光二极管整版，发光二还有呢？ ...

金融界2024年3月8日消息，据国家知识产权局公告，杭州海康威视数字技术股份有限公司申请一项名为“一种发光二极管的制备方法“公开号CN117672965A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管的制备方法。所述制备方法包括：提供发光二极管整版，发光二还有呢？

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金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法“公开号CN117594732A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括器件本体和用于封装器件还有呢？

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jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 2 3 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， T C L ke ji ji tuan gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ fa guang er ji guan ji qi zhi bei fang fa “ gong kai hao C N 1 1 7 5 9 4 7 3 2 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 8 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming ti gong fa guang er ji guan ji qi zhi bei fang fa ， she ji xian shi ji shu ling yu 。 fa guang er ji guan bao kuo qi jian ben ti he yong yu feng zhuang qi jian hai you ne ？

金融界2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“一种量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114267799B,申请日期为2020年9月。专利摘要显示，本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、..

金融界2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114686209B,申请日期为2020年12月。专利摘要显示，本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。复合材料包括好了吧！

证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法”，专利申请号为CN202011642637.2,授权日为2024年2月20日。专利摘要：本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。复合材料包括后面会介绍。

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证券之星消息，根据企查查数据显示乾照光电(300102)新获得一项发明专利授权，专利名为“发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法”，专利申请号为CN201810885637.1,授权日为2024年2月13日。专利摘要：本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所神经网络。

三星显示器公司周日表示，已开始建设新的8.6代IT有机发光二极管(OLED)生产线，这是该公司为巩固其在全球平板显示器市场领导地位而采取的战略举措。该公司计划在峨山中部工厂将现有的L8生产线改造为A6生产线，生产除智能手机外，面向IT设备的8.6代OLED面板。这将是三星显示器后面会介绍。

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法、显示装置“公开号CN117425365A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传说完了。

金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及显示装置“公开号CN117412651A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包神经网络。

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金融界2023年12月27日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法和显示装置“公开号CN117296156A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片，包括：多个外延结构，位于基底一侧，任意相邻的神经网络。