摘要：新华社西安5月30日电(记者许祖华)近日，我国科研团队在钙钛矿发光二极管(LED)研究领域取得重大突破。通过加快辐射复合速率，显著提高荧光量子效率，使钙钛矿LED外量子效率突破30%大关，接近实现产业化水平。相关研究成果的论文日前在国际学术期刊《自然》发表。钙钛矿半导体神经网络。
...新华社西安5月30日电(记者许祖华)近日，我国科研团队在钙钛矿发光二极管(LED)研究领域取得重大突破。通过加快辐射复合速率，显著提高荧光量子效率，使钙钛矿LED外量子效率突破30%大关，接近实现产业化水平。相关研究成果的论文日前在国际学术期刊《自然》发表。钙钛矿半导体神经网络。
正常运行时几乎不消耗功率、对闪络产生的冲击电流有很好的抑制效果等特点，能够有效保护整流变压器硅堆的二极管，使之免受闪络冲击电流的损害。还提供一种电除尘器，包括高压控制柜、整流变压器、电场和上述的整流变压器保护装置，能够有效抵抗闪络所带来的影响。本文源自金等我继续说。
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zheng chang yun xing shi ji hu bu xiao hao gong lv 、 dui shan luo chan sheng de chong ji dian liu you hen hao de yi zhi xiao guo deng te dian ， neng gou you xiao bao hu zheng liu bian ya qi gui dui de er ji guan ， shi zhi mian shou shan luo chong ji dian liu de sun hai 。 hai ti gong yi zhong dian chu chen qi ， bao kuo gao ya kong zhi gui 、 zheng liu bian ya qi 、 dian chang he shang shu de zheng liu bian ya qi bao hu zhuang zhi ， neng gou you xiao di kang shan luo suo dai lai de ying xiang 。 ben wen yuan zi jin deng wo ji xu shuo 。
证券之星消息，根据企查查数据显示同兴达(002845)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测方法”，专利申请号为CN202111420243.7,授权日为2024年5月28日。专利摘要：本发明公开一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测后面会介绍。
证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“量子点发光二极管及其制备方法”，专利申请号为CN202010709910.2,授权日为2024年5月24日。专利摘要：本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点后面会介绍。
证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“氧化锌薄膜及其制备方法、量子点发光二极管”，专利申请号为CN202010560048.3,授权日为2024年5月24日。专利摘要：本发明涉及显示技术领域，提供了一种氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤后面会介绍。
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金融界5月16日消息，中晶科技披露投资者关系活动记录表显示，2023年8月，江苏皋鑫《器件芯片用硅扩散片、特种高压和车用高功率二极管生产项目》正式开工，当前处于项目建设阶段，公司将持续加大研发投入和新产品导入，并积极推动项目建设投产。公司募投项目《高端分立器件和超等我继续说。
金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“单光子雪崩二极管图像传感器以及相关制造方法“授权公告号CN109728009B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相等会说。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种汽车专用整流二极管结构“授权公告号CN108109983B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种汽车专用整流二极管结构，包括第一引脚片、第二引脚片、芯粒，芯粒上表神经网络。
金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法“授权公告号CN109037356B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基神经网络。
金融界2024年5月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于CMOS图像传感器的像素单元“公开号CN118016682A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，一种用于CMOS图像传感器的像素单元包括将像素晶体管区域与像素光电二极管区域隔离的隔离结还有呢？
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