摘要：金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法“公开号CN117878142A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法，属于功率电子后面会介绍。
...金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法“公开号CN117878142A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法，属于功率电子后面会介绍。
金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“光电二极管和有机传感器以及电子装置“授权公告号CN111477692B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示，本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管好了吧！
jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 1 1 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， san xing dian zi zhu shi hui she qu de yi xiang ming wei “ guang dian er ji guan he you ji chuan gan qi yi ji dian zi zhuang zhi “ shou quan gong gao hao C N 1 1 1 4 7 7 6 9 2 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 9 nian 1 0 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming ti gong le yi zhong guang dian er ji guan 、 bao kuo gai guang dian er ji guan de you ji chuan gan qi 、 yi ji bao kuo gai guang dian er ji guan hao le ba ！
金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“微型发光二极管的巨量转移方法及系统“授权公告号CN112424958B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种微型发光二极管的巨量转移方法及系统，其中，巨量转移方法包括：提供形成有还有呢？
金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“有机发光二极管、有机发光显示基板及制备方法和显示装置“的专利，授权公告号CN110854282B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示，该有机发光二极管包括：第一电极；空穴传输层；发光等会说。
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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“有机发光二极管及其制备方法、显示面板及显示装置“授权公告号CN112151690B,申请日期为2020年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种有机发光二极管及其制备方法、显示面板及显后面会介绍。
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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，劳斯莱斯有限公司取得一项名为“转换器“的专利，授权公告号CN110932536B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明题为“转换器”。本发明示出了具有有源二极管钳位式多电平拓扑的电转换器(203)。每个钳位二极管与开关后面会介绍。
金融界2024年4月10日消息，据国家知识产权局公告，江西沃格光电股份有限公司申请一项名为“一种微型发光二极管背光的制造方法、一种半导体设备“公开号CN117855351A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本申请提供一种微型发光二极管背光的制造方法、一种半导体设备，方说完了。
金融界2024年4月10日消息，据国家知识产权局公告，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为“快恢复二极管器件及其制作方法“公开号CN117855290A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供一种快恢复二极管器件，包括：阴极金属层；N型外延层，N型外延层位于阴极金属层说完了。
金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种雪崩光电二极管APD、相关设备和网络“公开号CN117855303A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请实施例公开了一种雪崩光电二极管APD、相关设备和网络，用于降低APD的过剩噪声好了吧！
金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为“一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法“授权公告号CN114373837B,申请日期为2021年11月。专利摘要显示，本发明涉及化合物半导体光电子器件领域，尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光等会说。
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