摘要：证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“量子点发光二极管及其制备方法”，专利申请号为CN202010709910.2,授权日为2024年5月24日。专利摘要：本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点神经网络。
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证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“量子点发光二极管及其制备方法”，专利申请号为CN202010709910.2,授权日为2024年5月24日。专利摘要：本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点神经网络。
证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“氧化锌薄膜及其制备方法、量子点发光二极管”，专利申请号为CN202010560048.3,授权日为2024年5月24日。专利摘要：本发明涉及显示技术领域，提供了一种氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤等我继续说。
zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi T C L ke ji ( 0 0 0 1 0 0 ) xin huo de yi xiang fa ming zhuan li shou quan ， zhuan li ming wei “ yang hua xin bo mo ji qi zhi bei fang fa 、 liang zi dian fa guang er ji guan ” ， zhuan li shen qing hao wei C N 2 0 2 0 1 0 5 6 0 0 4 8 . 3 , shou quan ri wei 2 0 2 4 nian 5 yue 2 4 ri 。 zhuan li zhai yao ： ben fa ming she ji xian shi ji shu ling yu ， ti gong le yi zhong yang hua xin bo mo de zhi bei fang fa ， bao kuo yi xia bu zhou deng wo ji xu shuo 。
金融界5月16日消息，中晶科技披露投资者关系活动记录表显示，2023年8月，江苏皋鑫《器件芯片用硅扩散片、特种高压和车用高功率二极管生产项目》正式开工，当前处于项目建设阶段，公司将持续加大研发投入和新产品导入，并积极推动项目建设投产。公司募投项目《高端分立器件和超说完了。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“单光子雪崩二极管图像传感器以及相关制造方法“授权公告号CN109728009B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相等我继续说。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种汽车专用整流二极管结构“授权公告号CN108109983B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种汽车专用整流二极管结构，包括第一引脚片、第二引脚片、芯粒，芯粒上表等我继续说。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法“授权公告号CN109037356B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基神经网络。
金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“发光二极管显示装置“的专利，授权公告号CN110349988B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示，提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板还有呢？
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金融界2024年5月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于CMOS图像传感器的像素单元“公开号CN118016682A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，一种用于CMOS图像传感器的像素单元包括将像素晶体管区域与像素光电二极管区域隔离的隔离结说完了。
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证券之星消息，根据企查查数据显示海信家电(000921)新获得一项发明专利授权，专利名为“肖特基二极管”，专利申请号为CN202311111466.4,授权日为2024年5月7日。专利摘要：本发明公开了一种肖特基二极管，肖特基二极管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底一侧设置有阴极；第一掺杂类型后面会介绍。
金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“授权公告号CN113054037B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本发明涉及芯片制造领域，具体公开了一种快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片等我继续说。
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