金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,广电计量检测集团股份有限公司申请一项名为“SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置“公开号CN117761495A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种SiC MOSFET体二极管双极退化试验方法及装置,属于后面会介绍。
金融界3月27日消息,有投资者在互动平台向华微电子提问:在SiC、GaN等第三代半导体功率器件领域,公司有哪些相关产品吗?公司回答表示:公司目前有650V-1200V碳化硅二极管产品和MOSFET产品,在储能、充电桩、大功率电源领域应用;对于GaN功率器件,我司开发了650V产品,可用还有呢?
jin rong jie 3 yue 2 7 ri xiao xi , you tou zi zhe zai hu dong ping tai xiang hua wei dian zi ti wen : zai S i C 、 G a N deng di san dai ban dao ti gong lv qi jian ling yu , gong si you na xie xiang guan chan pin ma ? gong si hui da biao shi : gong si mu qian you 6 5 0 V - 1 2 0 0 V tan hua gui er ji guan chan pin he M O S F E T chan pin , zai chu neng 、 chong dian zhuang 、 da gong lv dian yuan ling yu ying yong ; dui yu G a N gong lv qi jian , wo si kai fa le 6 5 0 V chan pin , ke yong hai you ne ?
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第一开关管的第一端连接第一电容的第二端,第一开关管的第二端通过限流电路连接桥式驱动电路的电源端;第一开关管导通时,电源端通过限流电路和第一开关管向第一电容充电,限流电路用于限制流向第一电容的充电电流。通过上述设置,避免了自举二极管因反向恢复所带来的失效风险等会说。
金融界2024年3月26日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料及其制备方法及量子点发光二极管“公开号CN117757462A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请公开了一种复合材料及其制备方法及量子点发光二极管,包括量子点和结合后面会介绍。
知识观察所 编辑| 知识观察所 【前言】 使用 先进的半导体器件物理模型仿真软件 程序,研究了在有源区具有厚度线性调频势垒的蓝色InGaN发光二极管(LED)的优势。 当在250mA的电流下,所提出的LED的输出功率增加了80%,效率下降从传统LED的59%降低到28%。 等我继续说。
金融界2024年3月23日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法“公开号CN117747725A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬还有呢?
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证券之星消息,根据企查查数据显示TCL科技(000100)公布了一项国际专利申请,专利名为“复合材料及其制备方法及量子点发光二极管”,专利申请号为PCT/CN2023/118641,国际公布日为2024年3月21日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来TCL科技已公布的国际是什么。
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知识观察所 编辑| 知识观察所 【前言】 从有限尺寸LED的3D强度分布的封闭形式与兰伯特余弦定律来看,该定律是为无限小的平面光源提供3D强度分布。 而二极管表面二维强度的分布,显示其与高斯函数的相似性,高斯函数通常用于近似LED和激光二极管的表面光强度分布,是什么。
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本发明在原位制备方法的前驱体溶液中引入铵盐型双齿配体调控结晶过程,制备了具备小尺寸且大小均一纳米晶的均相钙钛矿纳米晶薄膜。另外还应用该薄膜,制备了钙钛矿发光二极管器件,该器件具有良好的发光性能(外量子效率高),其电学性能也得到明显提升,表现为更均一的电流传输和说完了。
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压合组件能够从载板缓存组件上吸附第一载板,并将第一载板与基板压合,激光焊接组件用于将第一载板上的发光二极管焊接于基板,其中,第一柜体与第二柜体之间可拆卸连接。根据本发明实施例的巨量焊接设备,能够实现具有发光二极管的载板的自动化供应,便于提高生产效率。本文源自是什么。
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