摘要：network）也称电气网络，也可简称电网 ，是类似的术语，指的是电子元件按一定方式互连或这种互连的模型，为电荷流通提供了路径的总体。例如：电源、电阻、电容、电感、二极管、电晶体、集成电路和电键等构成的网络，负电荷可以在其中运动。电路的规模可以相差很大，小到硅片上的集成电路，大到高低压输电网。。...╯▽╰
network）也称电气网络，也可简称电网 ，是类似的术语，指的是电子元件按一定方式互连或这种互连的模型，为电荷流通提供了路径的总体。例如：电源、电阻、电容、电感、二极管、电晶体、集成电路和电键等构成的网络，负电荷可以在其中运动。电路的规模可以相差很大，小到硅片上的集成电路，大到高低压输电网。。
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稽纳二极体（英语：Zener diode），是利用二极管在反向偏置运作下的齐纳效应制成的一种电子元件元件。由於具有稳定电压功能，因此又称为“稳压二极体”（英语：regulator diode）。 齐纳二极体的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳，他首先阐述了绝缘体的电击穿特性，后来贝尔。
ji na er ji ti （ ying yu ： Z e n e r d i o d e ） ， shi li yong er ji guan zai fan xiang pian zhi yun zuo xia de qi na xiao ying zhi cheng de yi zhong dian zi yuan jian yuan jian 。 you yu ju you wen ding dian ya gong neng ， yin ci you cheng wei “ wen ya er ji ti ” （ ying yu ： r e g u l a t o r d i o d e ） 。 qi na er ji ti de ming cheng shi qu zi mei guo li lun wu li xue jia ke la lun si · mei er wen · qi na ， ta shou xian chan shu le jue yuan ti de dian ji chuan te xing ， hou lai bei er 。
输出特性曲线与上述基本配置的输出曲线形状相同，阈值大小也与上述配置满足相同的关系。不同点在於上例的输出电压取决於供电电源，而这一电路的输出电压由两个齐纳二极管（也可用一个双阳极齐纳二极管代替）确定。在这一配置中，输出电平可以通过选择适宜的齐纳二极管来改变，而输出电平对於电源波动具有抵抗力，也就是说。
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辐射热测量计是一种物体测量辐射热量的传感器。 简明原理: 吸收光的辐射功率 → 温度升高 → 改变电阻大小。 特点:该仪器具有很高的灵敏性。相对于其他辐射探测器（比如光电管及光电二极管）而言，辐射热测量计具有比较高的带宽，以及对比较难或者未知的射线的探测（比如远红外射线和太赫射线） 常用有两种：。
在半导体物理学史上，Cu2O是研究最多的材料之一，许多实验性的半导体应用首先在这种材料中得到了证明： 半导体 半导体二极管 Phonoritons（“激子、光子和声子的相干迭加”） Cu2O中最低的激子寿命极长；吸收线型已被证明具有NeV的线宽，这是迄今为止观察到的最。
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扫描到光鼓的合适栅格图像。激光经过一个由透镜及反射镜组成的系统运动镜面从而投射到光鼓上。由于激光是高精度的连续光照，所以选用激光（目前常用的是激光二极管）。光鼓上被激光照射到的地方静电就被释放，这样就在光鼓上形成了一个隐藏的光电图像。 显影：然后带有隐藏图像的光鼓经过由非常微小的塑料粉末与黑色碳粉。
律，在大多数的情况下，电阻的电压与电流的数值成正比，因此I-V图呈直线。只有在电阻使用某种物料或在某个温度环境下，方会出现非直线图表。 当二极管外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为0。当正向电压超过一定数值后，电流增长很快。这个数值的正向电压被成为死区电压或开启电压，其大小与材料及环境温度有关。。
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极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有闸极（也称栅极，来自英语Gate，因此也成为G极）。这个极被用来控制结型场效应管，它与n通道组成一个pn二极管，因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似，只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结，而是使用肖特基结（金属与半导体之间的结。
二极管。如果二极管的P极更靠近信号的正极，当正极电压较小时，二极管反向截止，uo=ui；当正极电压较大时，会导致二极管正向导通，P极电压将很接近N极电压，从而限制住正向电压的大小，实现正向限幅。 作用在二端口网络中，左端为输入，右端为输出。分析时一般考虑理想二极管。如果二极管。
LED灯是指利用发光二极管（LED）作为光源的灯，一般使用半导体LED制成。LED灯的寿命和发光效率可达白炽灯的几倍，和一体式荧光灯相比也高出不少，其中Cree等厂家更是号称能达到300流明/瓦特的效率。 单颗发光二极管的光度比传统白炽灯和省电灯泡低很多，所以一个灯泡通常会包含多颗发光二极管。近年，二极管。
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。从p-区跨越pn接面注入n-区的空穴也具有类似性质。 正向偏置下，跨pn接面的电流强度取决于多数载流子的密度，这一密度随正向偏置电压的大小成指数增加。这使得二极管可以导通正向大电流。 若施加在n区的电压高於p区的电压，这种状态称为pn接面的反向偏置（英语：reverse。
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鎵（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光发光二极管。 有了蓝光发光二极管后，白光发光二极管也隨即面世，之后LED便朝增加光度的方向发展，当时一般的LED工作功率都小於30－60 mW（毫瓦）。1999年输入功率达1W（瓦）的发光二极管商品化。这些发光二极管都以特大的半导体晶片来处理高电能输入的问题，。
在电子学领域里，LED驱动电路（LED circuit，又译发光二极管电路），为发光二极管灯具的核心器件，是一个用来使发光二极管（LED）发亮的电路。 随着全球倡导绿色照明以及节能的迫切需求。越来越多的照明产品进入到发光二极管光源的时代。而作为发光二极管灯具的核心器件，LED驱动芯片扮演着越来越重要的角色。。
阻值大小时，就需使用薄膜电阻这一概念。例如，在发光二极管的制造中，二极管PN结上作为电极而沉积的金属的阻值很大程度影响了发光二极管的发光效率，因此需要最小化金属半导体的接触电阻，利用前面提到的四探针测量法以及传输线模型测量法，即可确定接触电阻的大小和金属下方半导体层的薄膜电阻阻值。 薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是：。
半导体激光器是电驱动的二极管。施加电流产生的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用的光增益。在晶体的解理面端点处的反射形成光学谐振腔，通常是利用两种不同的材料来形成共振腔，尽管有些设计是把共振腔放在半导体晶体的外面。 商业激光二极管的发射波长是从375nm到3500nm。低到中等功率激光二极管。
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晶格的金属更小，对于原子紧密堆积的金属更大。范围大概是1.5–6 eV。某种程度上稠密晶面比开放晶格金属更高。 在电子学里功函数对设计肖特基二极管或发光二极管中金属-半导体结以及真空管非常重要。 很多基于不同物理效应的技术被发展出来测量样品的电学功率函数。可以区分出两类功函数测量的试验方法：绝对测量和相对测量。。
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。其可仿真包含由下列元件组成的电路和子电路，包括电阻、电容、电感器、互感器、独立电压、电流源、依赖电源、传输线、开关，以及5种最常见的半导体器件：二极管、结型场效应管、双极性晶体管、金属氧化物半导体场效电晶体和金属半导体场效应管。 Smartspice是精深研发的成果。其具竞争力的速度、高级的收敛。
μrad。波长532 nm时的能量是9 mJ，散射角少於4 mrad。反射的雷射脉冲会经由高解析度摄影的望远镜，並且会被彩色滤光片分离后进入硅雪崩光电二极管（SiAPD）。该侦测器是一个单一的0.5×0.5 mm SiAPD接收器，视野是0.057平方度。该雷射仪的重量是1250公克，接收器则位於一个。
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二极管，耗电、体积厚、价格较高。 直下式发光二极管背光所使用的有白光发光二极管，也有使用红、绿、蓝三种单色发光二极管（RGB LED）的，使用RGB LED可以有更阔光频谱，也即有更广色域。 侧照式发光二极管背光技术是把白光发光二极管放在LCD的四边，LCD后有一与LCD大小。
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金属电极无引线端面（英语：Metal Electrode Leadless Face，缩写：MELF）是一种圆柱形状，两端电极金属化的表面安装电子元器件封装，通常是二极管或电阻。 EN 140401-803与DO-213标准规定了多种MELF元器件的规格： MELF 0207，长：5.8 mm，直径：2.2 mm，功率：1。
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