绝缘测试仪怎么测绝缘电阻

摘要：金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“绝缘体上半导体衬底、其形成方法以及集成电路“授权公告号CN110957257B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，本申请的各种实施例涉及一种用于形成不具有接合界面空隙和/或在神经网络。 ...

金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“绝缘体上半导体衬底、其形成方法以及集成电路“授权公告号CN110957257B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，本申请的各种实施例涉及一种用于形成不具有接合界面空隙和/或在神经网络。

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金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，长城汽车股份有限公司申请一项名为“绝缘故障处理方法、系统、车辆和存储介质“公开号CN117863880A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本申请提供了一种绝缘故障处理方法、系统、车辆和存储介质，该方法应用于车辆技术神经网络。

jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 1 3 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， chang cheng qi che gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ jue yuan gu zhang chu li fang fa 、 xi tong 、 che liang he cun chu jie zhi “ gong kai hao C N 1 1 7 8 6 3 8 8 0 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 4 nian 1 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing ti gong le yi zhong jue yuan gu zhang chu li fang fa 、 xi tong 、 che liang he cun chu jie zhi ， gai fang fa ying yong yu che liang ji shu shen jing wang luo 。

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金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，广东明阳电气股份有限公司申请一项名为“一种绝缘胶浇注干式变压器“公开号CN117877870A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明公开了一种绝缘胶浇注干式变压器，包括绕组、下安装件、上安装件、分接板和绝缘胶套。..

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金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京首钢股份有限公司申请一项名为“一种绝缘测量辅助装置及检测电表“公开号CN117872060A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本申请公开了一种绝缘测量辅助装置及检测电表，涉及电气工艺设备技术领域，所述绝缘测量装置说完了。

金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，湖北德普电气股份有限公司申请一项名为“一种用于软包电池绝缘测试的半自动化测试装置“公开号CN117872140A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种用于软包电池绝缘测试的半自动化测试装置，所述放置槽的等会说。

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金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，武汉奥绿新生物科技股份有限公司取得一项名为“一种钨针电极外层绝缘套管旋切的工艺设备“授权公告号CN110039581B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明涉及一种钨针电极外层绝缘套管旋切的工艺设备，包括旋转模组后面会介绍。

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金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，重庆钢铁股份有限公司申请一项名为“电源系统的绝缘状态监测系统、方法、装置及存储介质“公开号CN117872210A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本申请提供一种电源系统的绝缘状态监测系统、方法、装置及存储介质，涉说完了。

金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，广东新亚光电缆股份有限公司申请一项名为“一种高电压环境下的绝缘性能改进的电缆“公开号CN117877797A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明涉及电缆领域，尤其涉及一种高电压环境下的绝缘性能改进的电缆，包括导体是什么。

金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体装置“的专利，授权公告号CN110310951B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，提供一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括下基底层、位于下基底层上的掩埋绝缘层和位于掩埋绝缘层说完了。

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该下层结构包括在顶部的电极层和在其下面的绝缘层；蚀刻停止层，在下层结构上；上层结构，在蚀刻停止层上，该蚀刻停止层对于上层结构和下层结构具有蚀刻选择性；第一接触插塞和第二接触插塞，分别填充限定在第一区域和第二区域上的上层结构和蚀刻停止层中的第一开口和第二开口并分说完了。