摘要：金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，科大国盾量子技术股份有限公司取得一项名为“一种应用于量子通信设备的二极管管夹及温控装置“授权公告号CN109830467B,申请日期为2017年11月。专利摘要显示，本发明应用于量子保密通信领域的接收方探测器制冷模块内部温神经网络。
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金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，科大国盾量子技术股份有限公司取得一项名为“一种应用于量子通信设备的二极管管夹及温控装置“授权公告号CN109830467B,申请日期为2017年11月。专利摘要显示，本发明应用于量子保密通信领域的接收方探测器制冷模块内部温神经网络。
金融界2024年4月2日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“有机发光二极管、显示面板及显示装置“公开号CN117812927A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请公开了一种有机发光二极管、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。该有机还有呢？
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 2 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， jing dong fang ke ji ji tuan gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ you ji fa guang er ji guan 、 xian shi mian ban ji xian shi zhuang zhi “ gong kai hao C N 1 1 7 8 1 2 9 2 7 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 9 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing gong kai le yi zhong you ji fa guang er ji guan 、 xian shi mian ban ji xian shi zhuang zhi ， she ji xian shi ji shu ling yu 。 gai you ji hai you ne ？
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金融界2024年4月2日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“有机发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置“公开号CN117813939A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本公开至少一实施例提供一种有机发光二极管显示面板及其制备方法和显还有呢？
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金融界2024年3月30日消息，据国家知识产权局公告，江苏欧密格光电科技股份有限公司申请一项名为“一种带角度的小尺寸白色发光二极管的制备方法“公开号CN117790646A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种带角度的小尺寸白色发光二极管的制备方法，具体神经网络。
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证券之星消息，根据企查查数据显示国盾量子(688027)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种应用于量子通信设备的二极管管夹及温控装置”，专利申请号为CN201711178829.0,授权日为2024年3月29日。专利摘要：本发明应用于量子保密通信领域的接收方探测器制冷模块内部温控装好了吧！
扩散区中形成在第一阱中的至少一部分连接到第一电极，扩散区中形成在第二阱中的至少一部分连接到第二电极。扩散区中形成在第一阱中的一个扩散区与N阱之间的结点形成触发二极管。扩散区中形成在第二阱中的一个扩散区与P阱之间的结点形成触发二极管。触发二极管彼此电连接好了吧！
金融界2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，广电计量检测集团股份有限公司申请一项名为“SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置“公开号CN117761495A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOSFET体二极管双极退化试验方法及装置，属于说完了。
金融界3月27日消息，有投资者在互动平台向华微电子提问：在SiC、GaN等第三代半导体功率器件领域，公司有哪些相关产品吗？公司回答表示：公司目前有650V-1200V碳化硅二极管产品和MOSFET产品，在储能、充电桩、大功率电源领域应用；对于GaN功率器件，我司开发了650V产品，可用好了吧！
金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料及其制备方法及量子点发光二极管“公开号CN117757462A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请公开了一种复合材料及其制备方法及量子点发光二极管，包括量子点和结合等我继续说。
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知识观察所 编辑| 知识观察所 【前言】 使用 先进的半导体器件物理模型仿真软件 程序，研究了在有源区具有厚度线性调频势垒的蓝色InGaN发光二极管(LED)的优势。 当在250mA的电流下，所提出的LED的输出功率增加了80%,效率下降从传统LED的59%降低到28%。 还有呢？
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