摘要：二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作。...二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作。
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光电鼠标（亦称“光学鼠标”）通过发光二极管和光电二极管来检测鼠标对于一个表面的相对运动，它不像机械鼠标一样通过鼠标球的旋转驱动两个互相垂直的轴的转动来获得鼠标移动的位置。 最早的光电鼠标需要使用预先印制的鼠标垫表面上才能检测到鼠标的运动，而现在的光电鼠标如果在透明的表面上工作，就不能检测到鼠标的运动，如玻璃镜面。激光二极管。
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guang dian shu biao （ yi cheng “ guang xue shu biao ” ） tong guo fa guang er ji guan he guang dian er ji guan lai jian ce shu biao dui yu yi ge biao mian de xiang dui yun dong ， ta bu xiang ji xie shu biao yi yang tong guo shu biao qiu de xuan zhuan qu dong liang ge hu xiang chui zhi de zhou de zhuan dong lai huo de shu biao yi dong de wei zhi 。 zui zao de guang dian shu biao xu yao shi yong yu xian yin zhi de shu biao dian biao mian shang cai neng jian ce dao shu biao de yun dong ， er xian zai de guang dian shu biao ru guo zai tou ming de biao mian shang gong zuo ， jiu bu neng jian ce dao shu biao de yun dong ， ru bo li jing mian 。 ji guang er ji guan 。
VD播放机和激光指示器。应用于工业切割焊接，工业激光二极管的最高功率已经达到了10 kW (70dBm)[来源请求]。 染料激光器使用有机染料作为增益介质。 自由电子激光器（Free electron lasers），或FEL，是以自由电子为工作物质，将高能电子束的能量转换成激光的装置，具有短波长。
1993年，日本日亚化学工业（Nichia Corporation）工作的中村修二成功把镁掺入，造出了基於宽能隙半导体材料氮化鎵和氮化銦鎵（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光发光二极管。 有了蓝光发光二极管后，白光发光二极管也隨即面世，之后LED便朝增加光度的方向发展，当时一般的LED工作功率都小於30－60。
PIN型二极管，又称移相开关二极管，和普通的二层结构的PN结二极管相比，PIN型二极管引入了I层：即在普通PN结二极管的由P型半导体材料组成的P层和由N型半导体材料组成的N层中间，插入一层低掺杂的纯度接近于本征半导体材料组成的I层。如果I层材料为低掺杂的P型半导体，则该二极管可称为π型PIN二极管。
1N400x二极管（又称1N4001或1N4000二极管）是型号为1N4001至1N4007的一系列通用硅二极管，其额定电流为1 A，反向耐压范围在50 V（1N4001）至1000 V（1N4007）之间，采用通孔插装式DO-41封装。而1N540x二极管和1N400x相似，但额定电流提升至3。
最大可以到200V。现行技术也可以制造出反向偏压更高的肖特基二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅质二极管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1。
二极管的二极管使用了一个PIN接面，而不是一般的PN接面，来增加器件对信号的响应速度。光电二极管常常被设计为工作在反向偏置状态。 一个光电二极管的基础结构通常是一个PN结或者PIN结构。当一个具有充足能量的光子冲击到二极管。
在价格上已经和LCD达到黄金交叉点，成本已经略低於LCD。 小分子的高效有机发光二极管首先被在伊士曼柯达公司的邓青云博士等人开发。虽然该术语的SM-OLED中也使用，术语OLED传统特指这种类型的器件。 高分子发光二极管（PLED），也是发光聚合物（LEP），包含当连接到外部电压而发光的电致发光导电。
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谐振隧穿二极管(Resonant tunneling diode, RTD)是利用电子在某些能级能够谐振隧穿而导通的二极管。其电流电压特性常显示出负阻特性。 所有的隧道二极管(Tunnel diode)都是利用量子穿隧效应工作的。它们大多具有负阻的电流电压特性。
雪崩二极管（avalanche diode）是设计在特定反向电压下，会突崩溃的二极管，其材料会用硅或是其他半导体材料。雪崩二极管的接合面会经特別设计，避免电流集中及所产生高温热点，因此在崩溃时不会破坏二极管。突崩溃是因为少数载子加速到足以使晶格电离的程度，因此产生更多的载子，也造成更进一步的电离。。
假如在栅极和源极之间施一负电压的话则闸源二极管之间的耗尽区更加扩大。沟道的宽度和长度均可以被改变。这样一来可以达到控制效应，这个效应与双极性晶体管的原理类似。在输出特性曲线上可以看得出电流水平的部分的值变小。在这种情况下提高源漏电压也只能很小地改变漏电流。 像真空管一样工作。
瞬态电压抑制二极管也称为TVS二极管，是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰（英语：Voltage spike）破坏。 TVS二极管会和要保护的电路並联。当其电压超过突崩溃准位时，直接分流过多的电流。TVS二极管是箝位器（英语：Clamp。
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雪崩光电二极管(APD)(又称累崩光电二极体或崩溃光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500。
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至阳极。与之相反，若电势差的方向逆转，电子无法轻易地离开阳极跳跃至阴极。 移动的电子形成电流。因为电子只能从阴极移至阳极，所以工作中的真空二极管具有单向导电性。 在真空二极管的基础上，三极管在阴极和阳极之间添加了一个栅极。通过在栅极和阳极间加上栅极电压，可以使栅极带上负电荷。由于电荷同性相斥，通过改。
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在电子学领域里，LED驱动电路（LED circuit，又译发光二极管电路），为发光二极管灯具的核心器件，是一个用来使发光二极管（LED）发亮的电路。 随着全球倡导绿色照明以及节能的迫切需求。越来越多的照明产品进入到发光二极管光源的时代。而作为发光二极管灯具的核心器件，LED驱动芯片扮演着越来越重要的角色。。
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5nm激光笔工作在脉冲模式下以便采用尺寸和功率较小的泵浦二极管。 使用波长808nm红外激光激发非线性晶体，产生1064nm红外光，再经倍频产生532nm绿光，属於半导体泵浦固体激光（DPSS）。 一些绿光激光器工作在脉冲或者准连续模式下来减少冷却问题，延长电池寿命。。
变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环。
激光二极管(LD)是一种激光产生器，其工作物质是半导体，属於固体激光产生器，大部份激光二极管在结构上与一般二极管相似。由於激光二极管的运作中，电子的能量转变过程只涉及两个能阶，没有间接带隙造成的能量损失，所以效率相对高。能发光的半导体电子元件，透过三价与五价元素所组成的复合光源。此种电子元件早在19。
二极管和晶体管）组成并实现特定功能。在设计集成电路时，电子工程师，首先构建电路原理图，指定电子元件并描述它们之间的相互联系。完成后，超大规模集成电路工程师将原理转化为实际布局，这个过程中需要用各种导体和半导体材料制作电路。从原理图到布局的转换工作。
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