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二极管怎么区分正负极,二极管怎么区分正负极图标

小乐剧情 2024-04-08 20:25 810 656条评论
二极管怎么区分正负极,二极管怎么区分正负极图标摘要:金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,北京大学取得一项名为“一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法“授权公告号CN114373837B,申请日期为2021年11月。专利摘要显示,本发明涉及化合物半导体光电子器件领域,尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光等会说。 ...

金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,北京大学取得一项名为“一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法“授权公告号CN114373837B,申请日期为2021年11月。专利摘要显示,本发明涉及化合物半导体光电子器件领域,尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光等会说。

金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,苹果公司取得一项名为“具有结构化电极的有机发光二极管显示器“授权公告号CN110783480B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示,本公开涉及具有结构化电极的有机发光二极管显示器。显示器可具有有机发光二极管(OLED)像素等我继续说。

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金融界2024年4月6日消息,据国家知识产权局公告,常州星海电子股份有限公司申请一项名为“一种高反压二极管制备工艺“公开号CN117832082A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明涉及二极管制备技术领域,尤其涉及一种高反压二极管制备工艺,包括以下步骤:S1、选择合适神经网络。

金融界2024年4月6日消息,据国家知识产权局公告,上海贝岭股份有限公司申请一项名为“内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法“公开号CN117832276A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本公开提供了一种内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法,该MOSFET包括金属化等我继续说。

金融界2024年4月6日消息,据国家知识产权局公告,吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“一种低漏电高可靠性高压整流二极管芯片制备方法“公开号CN117832083A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明涉及微电子芯片生产制造领域,具体为一种低漏电高可靠性高压整流二好了吧!

金融界2024年4月5日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片、显示基板及其制备方法和显示装置“公开号CN117832356A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种发光二极管芯片、显示基板及其制备方法和显示后面会介绍。

金融界2024年4月4日消息,据国家知识产权局公告,广州视源电子科技股份有限公司取得一项名为“一种发光二极管均流控制电路“授权公告号CN108922480B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示,本发明公开了一种发光二极管均流控制电路,涉及背光驱动技术领域。所述电路包括:具等会说。

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金融界2024年4月1日消息,据国家知识产权局公告,科大国盾量子技术股份有限公司取得一项名为“一种应用于量子通信设备的二极管管夹及温控装置“授权公告号CN109830467B,申请日期为2017年11月。专利摘要显示,本发明应用于量子保密通信领域的接收方探测器制冷模块内部温后面会介绍。

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金融界2024年4月2日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“有机发光二极管、显示面板及显示装置“公开号CN117812927A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请公开了一种有机发光二极管、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域。该有机是什么。

金融界2024年4月2日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“有机发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置“公开号CN117813939A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本公开至少一实施例提供一种有机发光二极管显示面板及其制备方法和显还有呢?

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作者:小乐剧情本文地址:http://www.516ds.com/jl72jkc4.html发布于 2024-04-08 20:25
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