摘要：南方财经5月6日电，从中国科学技术大学获悉，该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构，构筑载流子调制新方法，实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果日前在线发表于期刊《自然•电子学》..
...南方财经5月6日电，从中国科学技术大学获悉，该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构，构筑载流子调制新方法，实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果日前在线发表于期刊《自然•电子学》..
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金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“授权公告号CN113054037B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本发明涉及芯片制造领域，具体公开了一种快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片等会说。
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 6 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， chang zhou xing hai dian zi gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ yi zhong kuai hui fu er ji guan xin pian ji qi zhi zuo fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 1 3 0 5 4 0 3 7 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 9 nian 1 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming she ji xin pian zhi zao ling yu ， ju ti gong kai le yi zhong kuai hui fu er ji guan xin pian ， bao kuo xin pian ben ti ， suo shu xin pian deng hui shuo 。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅说完了。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976536A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽后面会介绍。
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金融界2024年5月3日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法“公开号CN117979731A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请公开了一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法，属于显示技术领域等会说。
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金融界2024年5月2日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN113972342B,申请日期为2020年7月。专利摘要显示，本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制神经网络。
金融界2024年5月1日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及其制备方法“公开号CN117954470A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及还有呢？
金融界2024年4月23日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“有机发光二极管、显示面板和显示装置“授权公告号CN113097401B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示，本发明提出了一种有机发光二极管、显示面板和显示装置，有机发光二极管，包括后面会介绍。
金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告，广东利扬芯片测试股份有限公司取得一项名为“一种双面工艺PIN二极管电源管理芯片的检测系统“授权公告号CN114217206B,申请日期为2021年12月。专利摘要显示，本发明揭示了一种双面工艺PIN二极管电源管理芯片的检测系统，还有呢？
金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法“公开号CN117878142A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法，属于功率电子等会说。
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