摘要：电容效应，即“势垒电容” C b {\displaystyle C_{b}} 。它与pn接面面积、耗尽层宽度、半导体介电常数和外加电压都有关系。 当外加电压变化时，扩散区（参见上文所述扩散运动）内电荷的积累和释放过程将产生等效于电容的充放电过程，故等效于一个“扩散电容” C d {\displaystyle。...电容效应，即“势垒电容” C b {\displaystyle C_{b}} 。它与pn接面面积、耗尽层宽度、半导体介电常数和外加电压都有关系。 当外加电压变化时，扩散区（参见上文所述扩散运动）内电荷的积累和释放过程将产生等效于电容的充放电过程，故等效于一个“扩散电容” C d {\displaystyle。
线需重新购票或刷卡。 换乘通道 车都T1线站台 车都T1线采用100%低地板超级电容有轨电车，全线无接触网供电，牵引系统转向架技术采用德国西门子技术，超级电容采用单体12000F的双电层超级电容组。2016年5月，武汉经济技术开发区现代有轨电车被命名为“车都工匠号”。车都T1线车辆长36。
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xian xu zhong xin gou piao huo shua ka 。 huan cheng tong dao che dou T 1 xian zhan tai che dou T 1 xian cai yong 1 0 0 % di di ban chao ji dian rong you gui dian che ， quan xian wu jie chu wang gong dian ， qian yin xi tong zhuan xiang jia ji shu cai yong de guo xi men zi ji shu ， chao ji dian rong cai yong dan ti 1 2 0 0 0 F de shuang dian ceng chao ji dian rong zu 。 2 0 1 6 nian 5 yue ， wu han jing ji ji shu kai fa qu xian dai you gui dian che bei ming ming wei “ che dou gong jiang hao ” 。 che dou T 1 xian che liang chang 3 6 。
从电学角度看，相对电容率是物质集中静电通量线的程度的衡量。更精确一点讲，它是在静电场加在一个绝缘体上时存贮在其中的电能相对于真空(其电容率为1)来说的比例。这样，相对电容率也成为「相对静电容率」。 对于真空而言，虽然人们定义其相对电容率为1，但真空本身是具有特定电容率的 ε 0 ≈ 8.854。
电容产生的电容分压的结果，电源对地的电压约为115伏。一般医疗用的设备其漏电流需小於0.5 mA，其电源滤波器的Y电容会更小，而其电感感值则会对应增加。 若一个有接地的设备（如电脑）以非平衡的接线方式接到一个没有接地的设备，其接地设备的Y电容、信号线的地线及电脑的接地会形成回路接地（英语：Ground。
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电容、电感、二极管、电晶体、集成电路和电键等构成的网络，负电荷可以在其中运动。电路的规模可以相差很大，小到硅片上的集成电路，大到高低压输电网。 电路由电源、负载和中间环节三个基本部分组成：“电源”是产生电能的设备；“负载”是取用电能转化为机械能、光能、热能等的设备；变压器和输电线。
晶片內部连接导线的寄生电容效应 传统上，互补式金属氧化物半导体逻辑闸的切换速度与其元件的闸极电容有关。但是当闸极电容隨著金氧半场效电晶体尺寸变小而减少，同样大小的晶片上可容纳更多电晶体时，连接这些电晶体的金属导线间产生的寄生电容效应就开始主宰逻辑闸的切换速度。如何减少这些寄。
零电容随机存储器（英语：Zero-capacitor random access memory，缩写：Z-RAM）是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技术的浮体效应（Float body effect）研发的。该技术已经被超微半导体（AMD）许可用于未来的微处理器。Innovative。
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电容在本质上有很大的容值误差。多层陶瓷电容会有颤噪杂讯（microphonic）问题，材质多半易碎。 玻璃及云母电容的可靠度非常高，很稳定，也可以在高温及高压下运作，不过其价值太贵，因此主流应用很少用到。 电解电容及超级电容都可以储存能量，超级电容储能效果又电解电容要好。陶瓷电容多半会用到LC电路上。。
在这两个过程中R1是用以防止浪涌电流及电磁干扰（EMI）；电容器C1和C2是以串联的方式充电，以並联的方式放电的，C1和C2的电容量相等。这种滤波电容的充放电方式使得整流桥二极体的导通角增大，而使得原为脉冲尖峰波形的电流可以变为接近於正弦波的电流波形，从而达到修正功率因数的目的。。
在MOSFET的datasheet（英语：datasheet）中，电容会用Ciss（汲极和源极短路时的输入电容）、Coss（闸极和源极短路时的输出电容）、Crss（源极短路到地时的反向传递电容）。这些电容和內部电容的关係如下： C i s s = C G S + C G D C o s s = C G D +。
Rubycon在日本国内的主要竞争对手如下： Nichicon（日本电容株式会社，中文正式译名「尼吉康」） 日本化工（Nippon Chemi-Con） ELNA 松下电器 三洋电机（已被松下收购，电容产品线仍在售） 日立化成 Marcon （东芝拆分出来的电容公司，可能已倒闭）。
图像通过透镜投影在一列电容上（光敏区域），导致每一个电容都积纍一定的电荷，而电荷的数量则正比於该处的入射光强。用於线扫瞄相机的一维电容阵列，每次可以扫瞄一单层的电容；而用於摄像机和一般相机的二维电容阵列，则可以扫瞄投射在焦平面上的图像。一旦电容阵列曝光，一个控制回路將会使每个电容把自己的电荷传给相邻的下一个电容。
发电机通常由定子、转子、端盖及轴承等部件构成。定子由定子铁芯、线包绕组、机座以及固定这些部分的其他结构件组成。转子由转子铁芯（或磁极、磁扼）绕组、护环、中心环、滑环、风扇及转轴等部件组成。由轴承及端盖将发电机的定子，转子连接组装起来，使转子能在定子中旋转，做切割磁力线的运动，从而产生感应电势，通过接线端子引出，接在回路中，便产生了电流。。
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在微波与射频工程中，短截线是指在一端连接的传输线或波导。短截线的自由端开路或（在波导的情形）短路。忽略传输线的损耗，短截线的输入阻抗是纯抗性的；是容性还是感性，取决于短截线的电长度（英语：electrical length）以及是开路还是短路。短截线在无线电频率可能用作电容、电感和谐振电路。 短截线。
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在针对电容器及电阻器进行理论分析时，会假设是理想元件，电容器在电路中只会贡献电容，电阻器只会贡献电阻。不过，所有真实的电容器及电阻器其中都有引脚以及布线，这些会带来固有电感（多半也是不希望出现的电感）。因此其真实元件中会有一些电感造成的特性。。
电容应选耐压较高的聚丙烯电容器（英语：Polypropylene capacitor）。电容运转单相异步电动机的起动性能不如电容起动单相异步电动机，与其相比，它的起动转矩低，起动电流也大。 双值电容单相异步电动机的副绕组与两个并联的电容器串联后与主绕组并接单相电源。当电机转速达到同步速的。
1，电能在每个周期都完全由电源流到负载端。像是变压器或是任何有绕线的马达等电感性负载，其电流波形落后电压波形。而像电容组或是直埋电缆等电容性负载，其电流波形会领先电压波形，这二种负载都会在交流周期中吸收部份能量，储存在电路的电场（由电容产生）或是磁场（由电感产生）中，稍后能量才会回到电源端。。
最古老的电子滤波器形式是使用电阻和电容或者电阻和电感构建的无源模拟线性滤波器，它们分别叫做RC和RL单极滤波器。 人们也开发了一些混合滤波器，典型的例子有将模拟放大器与机械共鸣器或者延时线组合在一起。如CCD延时线这样的设备也用作离散时间滤波器。由于数字信号处理的广泛应用，有源数字滤波器已经变得常见。。
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线，射到手指上再反射回机器以获取数据，并对比资料库看是否一致。光学识别只能到达皮肤的表皮层，而不能到达真皮层，而且受手指表面是否干净影响较大。 电容传感器识别是利用一定间隔的安装的两个电容，利用指纹的凹凸，在手指滑过指纹检测仪器时接通或断开两个电容的电流以检测指纹资料。电容。
km/h；全列额定载员280人，最大载员360人，座席50人。列车采用“超级电容+钛酸锂电池”作为储能装置供电，车辆制动时可将 80% 以上的制动能量回收至超级电容中，实现能量的循环利用。 102号电车开往新丰路站 109号电车内部 黄埔有轨电车1号线目前不论距离一律2元人民币，可使用纸质车票、交通卡和广州公共交。
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