摘要：金融界2024年4月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于堆叠式场效应晶体管的具有中心线电源轨的单元架构“公开号CN117936542A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括：在第一等会说。
...金融界2024年4月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于堆叠式场效应晶体管的具有中心线电源轨的单元架构“公开号CN117936542A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括：在第一等会说。
长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“的专利，公开号CN117936461A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，该专利包括了一种半导体器件的制备方法，这种方法只需采用一道光罩就能实现形成CMOS晶体管的目的，也保证了CMOS晶体管的性能不受损失。本等会说。
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chang xin cun chu ji shu you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ ban dao ti qi jian ji qi zhi bei fang fa “ de zhuan li ， gong kai hao C N 1 1 7 9 3 6 4 6 1 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 1 0 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， gai zhuan li bao kuo le yi zhong ban dao ti qi jian de zhi bei fang fa ， zhe zhong fang fa zhi xu cai yong yi dao guang zhao jiu neng shi xian xing cheng C M O S jing ti guan de mu de ， ye bao zheng le C M O S jing ti guan de xing neng bu shou sun shi 。 ben deng hui shuo 。
金融界2024年4月25日消息，据国家知识产权局公告，固德威技术股份有限公司取得一项名为“晶体管固定组件及逆变器“授权公告号CN220829950U,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本实用新型涉及晶体管元器件技术领域，公开了一种晶体管固定组件及逆变器。其中，晶体管固定组还有呢？
该半导体装置包括在衬底的第一区域上的第一晶体管，以及在衬底的第二区域上的第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层包括顺序地堆叠在第一半导体沟道层中的每一个上的第一界面绝缘层、第一下高κ电介质层和第一复合电介质层。第二晶体管包括第二栅极是什么。
金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件“公开号CN117894754A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底后面会介绍。
金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN111128996B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：形成在衬底中的防护有源区域；多个晶体管，设置在与防护有源区域相邻的元件区域中，每个还有呢？
金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司取得一项名为“针对RF应用的异质结双极晶体管中的发射极-基极网格结构“授权公告号CN111448665B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示，在某些方面，异质结双极晶体管(HBT)包括集电极台面(502)、集电极台好了吧！
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金融界2024年4月16日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法“公开号CN117894681A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，一种用于在晶体管周围形成垂直栅极的方法，包括在下源极/漏极区上形成半导体层的堆叠。半说完了。
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金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备“公开号CN117878061A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬是什么。
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法“公开号CN117881197A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法，属于碳纳米管后面会介绍。
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