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摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316986A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置等会说。 ...

金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316986A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置等会说。

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金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316984A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技后面会介绍。

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证券之星消息，根据企查查数据显示京东方A(000725)公布了一项国际专利申请，专利名为“发光二极管器件及其制备方法、显示基板和显示装置”，专利申请号为PCT/CN2023/094982,国际公布日为2023年12月28日。专利详情如下：图片来源：世界知识产权组织(WIPO)今年以来京东方A已说完了。

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金融界2023年12月29日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“有机电致发光二极管和显示面板“公开号CN117321058A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本公开提供一种有机电致发光二极管和显示面板，属于显示技术领域。该有机电致发光二神经网络。

Poly层和隔离层；所述隔离层从侧部向下延伸与NP区连接；本发明通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。..

金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“一种量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114267814B,申请日期为2020年9月。专利摘要显示，本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，通过该制备方法，将PVDF掺杂于P后面会介绍。

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每个像素可以包括：第一超光电二极管，吸收第一波段的光；第二超光电二极管，吸收第二波段的光；以及第三超光电二极管，吸收第三波段的光，其中，第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管可以布置在尺寸小于衍射极限的区域中。布置在像素阵列的中心部分中的多个像素等我继续说。

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金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“发光二极管装置及其制造方法”，授权公告号CN110754000B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，提供了一种用于制造发光二极管(LED)装置的方法。所述方法包括：在玻璃层上形成多个滤色器；在所好了吧！

金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“一种量子点的筛分方法及量子点发光二极管“授权公告号CN114686232B,申请日期为2020年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种量子点的筛分方法及量子点发光二极管，其中，所述筛分方是什么。

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金融界2023年12月26日消息，据国家知识产权局公告，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法“公开号CN117293214A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明实施例提供光电二极管及其制造方法，所述光电二极管包括：衬底；N型电极接触层，位于所述衬说完了。