摘要：金融界5月16日消息，中晶科技披露投资者关系活动记录表显示，2023年8月，江苏皋鑫《器件芯片用硅扩散片、特种高压和车用高功率二极管生产项目》正式开工，当前处于项目建设阶段，公司将持续加大研发投入和新产品导入，并积极推动项目建设投产。公司募投项目《高端分立器件和超还有呢？
...金融界5月16日消息，中晶科技披露投资者关系活动记录表显示，2023年8月，江苏皋鑫《器件芯片用硅扩散片、特种高压和车用高功率二极管生产项目》正式开工，当前处于项目建设阶段，公司将持续加大研发投入和新产品导入，并积极推动项目建设投产。公司募投项目《高端分立器件和超还有呢？
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“单光子雪崩二极管图像传感器以及相关制造方法“授权公告号CN109728009B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相后面会介绍。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 1 0 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， tai wan ji ti dian lu zhi zao gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ dan guang zi xue beng er ji guan tu xiang chuan gan qi yi ji xiang guan zhi zao fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 0 9 7 2 8 0 0 9 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 8 nian 8 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming shi shi li jie lu yi zhong dan guang zi xue beng er ji guan S P A D tu xiang chuan gan qi yi ji xiang hou mian hui jie shao 。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种汽车专用整流二极管结构“授权公告号CN108109983B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种汽车专用整流二极管结构，包括第一引脚片、第二引脚片、芯粒，芯粒上表等会说。
金融界2024年5月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于CMOS图像传感器的像素单元“公开号CN118016682A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，一种用于CMOS图像传感器的像素单元包括将像素晶体管区域与像素光电二极管区域隔离的隔离结神经网络。
金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法“授权公告号CN109037356B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基神经网络。
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金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“发光二极管显示装置“的专利，授权公告号CN110349988B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示，提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板神经网络。
证券之星消息，根据企查查数据显示海信家电(000921)新获得一项发明专利授权，专利名为“肖特基二极管”，专利申请号为CN202311111466.4,授权日为2024年5月7日。专利摘要：本发明公开了一种肖特基二极管，肖特基二极管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底一侧设置有阴极；第一掺杂类型后面会介绍。
金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“授权公告号CN113054037B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示，本发明涉及芯片制造领域，具体公开了一种快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片等我继续说。
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南方财经5月6日电，从中国科学技术大学获悉，该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构，构筑载流子调制新方法，实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果日前在线发表于期刊《自然•电子学》..
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅后面会介绍。
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