摘要：金融界3月4日消息，有投资者在互动平台向振华科技提问：请问公司分立元器件方面的产能利用率？公司在分立元器件方面的长期战略规划？公司回答表示：公司半导体分立器件产能利用率较为充足；“十四五”期间，半导体分立器件方面，公司重点发展硅基二极管、晶体管、IGBT、SiC器件等还有呢？
...金融界3月4日消息，有投资者在互动平台向振华科技提问：请问公司分立元器件方面的产能利用率？公司在分立元器件方面的长期战略规划？公司回答表示：公司半导体分立器件产能利用率较为充足；“十四五”期间，半导体分立器件方面，公司重点发展硅基二极管、晶体管、IGBT、SiC器件等还有呢？
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可以使从动齿轮带动两组弧形刀进行往复转动，可以使弧形刀对向下凸起的纸带进行切割，在推条向上复位时，可以使二极管与塑料层和纸带脱离，可以使分离的单组二极管向下通过斜导板进行导向，使单组的二极管通过两组斜导板间隙向下排出，解决现有贮存装置不便于将单独的二极管从编神经网络。
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ke yi shi cong dong chi lun dai dong liang zu hu xing dao jin xing wang fu zhuan dong ， ke yi shi hu xing dao dui xiang xia tu qi de zhi dai jin xing qie ge ， zai tui tiao xiang shang fu wei shi ， ke yi shi er ji guan yu su liao ceng he zhi dai tuo li ， ke yi shi fen li de dan zu er ji guan xiang xia tong guo xie dao ban jin xing dao xiang ， shi dan zu de er ji guan tong guo liang zu xie dao ban jian xi xiang xia pai chu ， jie jue xian you zhu cun zhuang zhi bu bian yu jiang dan du de er ji guan cong bian shen jing wang luo 。
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金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“大功率光伏旁路轴向二极管及其组合框架“公开号CN117637662A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，大功率光伏旁路轴向二极管及其组合框架。涉及半导体技术领域。包括：第一引后面会介绍。
金融界2024年2月28日消息，据国家知识产权局公告，通普信息技术股份有限公司申请一项名为“一种航天级大电流超薄隔离二极管防护装置及其使用方法“公开号CN117615508A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，一种航天级大电流超薄隔离二极管防护装置及其使用方法，二极管神经网络。
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金融界2024年2月24日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种高反压二极管“授权公告号CN220526891U,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种高反压二极管，包括芯片，芯片的上下端面四周边缘均设置等我继续说。
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金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法“公开号CN117594732A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括器件本体和用于封装器件等会说。
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金融界2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“一种量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114267799B,申请日期为2020年9月。专利摘要显示，本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、..
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金融界2024年2月21日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114686209B,申请日期为2020年12月。专利摘要显示，本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。复合材料包括后面会介绍。
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经过“溶剂筛”处理后的钙钛矿发光二极管呈现明亮的绿色电致发光效果。受访单位供图洪恒飞高晓静科技日报记者江耘钙钛矿材料具有光电性能优异、制备成本低的优点。与目前常见的有机发光二极管(OLED)相比，钙钛矿发光二极管可以将色彩纯度提升至少1倍。近年来，钙钛矿发等我继续说。
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证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权，专利名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法”，专利申请号为CN202011642637.2,授权日为2024年2月20日。专利摘要：本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。复合材料包括等会说。
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