摘要：金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法“公开号CN117747725A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬等会说。
...金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法“公开号CN117747725A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬等会说。
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证券之星消息，根据企查查数据显示TCL科技(000100)公布了一项国际专利申请，专利名为“复合材料及其制备方法及量子点发光二极管”，专利申请号为PCT/CN2023/118641,国际公布日为2024年3月21日。专利详情如下：图片来源：世界知识产权组织(WIPO)今年以来TCL科技已公布的国际说完了。
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zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi T C L ke ji ( 0 0 0 1 0 0 ) gong bu le yi xiang guo ji zhuan li shen qing ， zhuan li ming wei “ fu he cai liao ji qi zhi bei fang fa ji liang zi dian fa guang er ji guan ” ， zhuan li shen qing hao wei P C T / C N 2 0 2 3 / 1 1 8 6 4 1 , guo ji gong bu ri wei 2 0 2 4 nian 3 yue 2 1 ri 。 zhuan li xiang qing ru xia ： tu pian lai yuan ： shi jie zhi shi chan quan zu zhi ( W I P O ) jin nian yi lai T C L ke ji yi gong bu de guo ji shuo wan le 。
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知识观察所 编辑| 知识观察所 【前言】 从有限尺寸LED的3D强度分布的封闭形式与兰伯特余弦定律来看，该定律是为无限小的平面光源提供3D强度分布。 而二极管表面二维强度的分布，显示其与高斯函数的相似性，高斯函数通常用于近似LED和激光二极管的表面光强度分布，好了吧！
本发明在原位制备方法的前驱体溶液中引入铵盐型双齿配体调控结晶过程，制备了具备小尺寸且大小均一纳米晶的均相钙钛矿纳米晶薄膜。另外还应用该薄膜，制备了钙钛矿发光二极管器件，该器件具有良好的发光性能(外量子效率高),其电学性能也得到明显提升，表现为更均一的电流传输和等会说。
压合组件能够从载板缓存组件上吸附第一载板，并将第一载板与基板压合，激光焊接组件用于将第一载板上的发光二极管焊接于基板，其中，第一柜体与第二柜体之间可拆卸连接。根据本发明实施例的巨量焊接设备，能够实现具有发光二极管的载板的自动化供应，便于提高生产效率。本文源自是什么。
金融界3月15日消息，有投资者在互动平台向捷捷微电提问：董秘好，请问公司产品最大应用下游是什么？公司有哪些是国产替代的？营收占比多少。公司回答表示：公司目前占比较大的下游领域是工业跟消费类，工业占比为40%,消费类占比为36%。公司目前功率二极管、功率三极管、晶闸管好了吧！
工业电源等领域。目前，公司SiC自研芯片产品处于研发导入阶段，SiC二极管产品已完成定型，部分产品已达成量产状态，SiC Mos平台已定型，处于初步量产状态。SiC光伏端混合封装模块出货量已突破100万只，SiC车规端模块采用先进的封装工艺，正在积极配合终端客户验证中。本文源自还有呢？
金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管“公开号CN117690782A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管，通过采用说完了。
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金融界3月8日消息，有投资者在互动平台向阿特斯提问：你好，目前光伏接线盒的供应商有没有新增的计划，主流的合作供应商有哪些，接线盒是否还是二极管为主。公司回答表示：我们目前主流用的是二极管为主。本文源自金融界AI电报
金融界2024年3月8日消息，据国家知识产权局公告，杭州海康威视数字技术股份有限公司申请一项名为“一种发光二极管的制备方法“公开号CN117672965A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管的制备方法。所述制备方法包括：提供发光二极管整版，发光二好了吧！
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